瑞萨与EPC达成技术授权：补全低压GaN，强化供应链
发布时间：2026-07-10 10:24:40 作者：玩站小弟 
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我要评论电子发烧友网报道文/梁浩斌）今年春节期间，EPC宣布与瑞萨达成一项全面的技术授权协议。根据协议，瑞萨电子将取得 EPC 成熟的低压 eGaN 技术，及其完善的供应链生态，从而加速高性能氮化镓解决方案在
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电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年春节期间，瑞萨EPC宣布与瑞萨达成一项全面的成技技术授权协议。
根据协议，术授瑞萨电子将取得 EPC 成熟的权补全低强化低压 eGaN 技术，及其完善的瑞萨供应链生态，从而加速高性能氮化镓解决方案在市场中的成技应用。EPC与瑞萨将在未来一年内合作建立这些产品的术授晶圆制造能力。此外，权补全低强化瑞萨电子还将作为第二货源供应商，瑞萨生产 EPC 数款已步入量产的成技热门氮化镓器件，从而增强客户们的术授供应链韧性。
在高压GaN产品上，权补全低强化瑞萨此前通过收购Transphorm已经获得覆盖650V-1200V的瑞萨高压GaN技术，已经应用于AC-DC电源、成技光伏逆变器、术授工业电机驱动等场景。
从市场需求来看，GaN的应用场景正从消费电子快充，快速向AI数据中心、新能源汽车、工业电机驱动、光伏逆变器等更高价值领域延伸。其中，AI数据中心48V母线转12V乃至1V的低压大电流场景，成为当前GaN市场的核心增量，对低压GaN器件的性能与可靠性提出了极高要求。
EPC在新闻稿中表示，通过此次合作，EPC的低压 eGaN 专业知识，使得瑞萨电子有能力提供业界最全面的氮化镓功率产品组合之一，覆盖从低压到高压的多种应用，进一步加速氮化镓技术革命。通过在低压GaN产品线与EPC的合作，瑞萨在AI电源等新的增量市场上，将能够提供更完整的产品组合。
与此同时，GaN行业格局在近年也发生了巨大的变化。台积电作为此前GaN行业代工巨头，明确宣布将逐步退出GaN代工业务，并计划在2027年彻底完成退出，这一决定引发GaN制造能力的重新配置，二线晶圆厂加速接盘，而IDM模式凭借对制造、品质的掌控力，成为GaN领域的主流发展方向。在这样的背景下，单纯依靠自身技术研发或产能布局，已难以快速抓住市场机遇，行业整合与协同合作成为企业突破发展瓶颈的关键。
因此，在这次合作中，EPC与瑞萨将在未来一年内合作建立GaN产品的晶圆制造能力，作为Fabless的EPC，能够借助瑞萨的全球IDM制造体系，来重新构建产能布局，进一步实现全球化的供应链。在当前全球供应链走向区域化、本土化的趋势下，这种新的供应体系能够带来更稳定的产品供应，为客户提供多重保障。
从近几年的GaN市场格局来看，功率GaN厂商也正在走向整合，包括英飞凌收购GaN Systems、瑞萨收购Transphorm、PI收购Odyssey全部资产、ST收购Exagan、华润微收购大连芯冠科技等。
而另一方面，传统功率大厂与GaN厂商之间的合作也在进一步加深，在这一次EPC与瑞萨的合作之外，更早前安森美也与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会；意法半导体在去年11月推出了一系列基于氮化镓技术的反激式电源集成器件，也采用了英诺赛科700V高性能氮化镓晶圆。
小结：
功率GaN市场正在从消费电子往工业、汽车、数据中心等新增量市场渗透的关键节点，而更全面的产品组合，以及供应链把控能力，将成为未来GaN市场竞争中的关键因素。
根据协议，术授瑞萨电子将取得 EPC 成熟的权补全低强化低压 eGaN 技术，及其完善的瑞萨供应链生态，从而加速高性能氮化镓解决方案在市场中的成技应用。EPC与瑞萨将在未来一年内合作建立这些产品的术授晶圆制造能力。此外，权补全低强化瑞萨电子还将作为第二货源供应商，瑞萨生产 EPC 数款已步入量产的成技热门氮化镓器件，从而增强客户们的术授供应链韧性。
在高压GaN产品上，权补全低强化瑞萨此前通过收购Transphorm已经获得覆盖650V-1200V的瑞萨高压GaN技术，已经应用于AC-DC电源、成技光伏逆变器、术授工业电机驱动等场景。
从市场需求来看，GaN的应用场景正从消费电子快充，快速向AI数据中心、新能源汽车、工业电机驱动、光伏逆变器等更高价值领域延伸。其中，AI数据中心48V母线转12V乃至1V的低压大电流场景，成为当前GaN市场的核心增量，对低压GaN器件的性能与可靠性提出了极高要求。
EPC在新闻稿中表示，通过此次合作，EPC的低压 eGaN 专业知识，使得瑞萨电子有能力提供业界最全面的氮化镓功率产品组合之一，覆盖从低压到高压的多种应用，进一步加速氮化镓技术革命。通过在低压GaN产品线与EPC的合作，瑞萨在AI电源等新的增量市场上，将能够提供更完整的产品组合。
与此同时，GaN行业格局在近年也发生了巨大的变化。台积电作为此前GaN行业代工巨头，明确宣布将逐步退出GaN代工业务，并计划在2027年彻底完成退出，这一决定引发GaN制造能力的重新配置，二线晶圆厂加速接盘，而IDM模式凭借对制造、品质的掌控力，成为GaN领域的主流发展方向。在这样的背景下，单纯依靠自身技术研发或产能布局，已难以快速抓住市场机遇，行业整合与协同合作成为企业突破发展瓶颈的关键。
因此，在这次合作中，EPC与瑞萨将在未来一年内合作建立GaN产品的晶圆制造能力，作为Fabless的EPC，能够借助瑞萨的全球IDM制造体系，来重新构建产能布局，进一步实现全球化的供应链。在当前全球供应链走向区域化、本土化的趋势下，这种新的供应体系能够带来更稳定的产品供应，为客户提供多重保障。
从近几年的GaN市场格局来看，功率GaN厂商也正在走向整合，包括英飞凌收购GaN Systems、瑞萨收购Transphorm、PI收购Odyssey全部资产、ST收购Exagan、华润微收购大连芯冠科技等。
而另一方面，传统功率大厂与GaN厂商之间的合作也在进一步加深，在这一次EPC与瑞萨的合作之外，更早前安森美也与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会；意法半导体在去年11月推出了一系列基于氮化镓技术的反激式电源集成器件，也采用了英诺赛科700V高性能氮化镓晶圆。
小结：
功率GaN市场正在从消费电子往工业、汽车、数据中心等新增量市场渗透的关键节点，而更全面的产品组合，以及供应链把控能力，将成为未来GaN市场竞争中的关键因素。
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